集微網(wǎng)消息，近年來(lái)，在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下，新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，工業(yè)控制及電源行業(yè)市場(chǎng)也逐步回暖。IGBT是變頻器、工業(yè)控制、電源行業(yè)以及新能源汽車的核心元器件，下游市場(chǎng)的繁榮對(duì)IGBT需求逐步擴(kuò)大，IGBT市場(chǎng)得到高速增長(zhǎng)。
據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights指出，在各類半導(dǎo)體功率器件組件中，未來(lái)增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是MOSFET與IGBT模塊。除增長(zhǎng)強(qiáng)勁外，IGBT也是含金量最高的功率器件。
由于IGBT行業(yè)存在技術(shù)門(mén)檻較高、人才匱乏、市場(chǎng)開(kāi)拓難度大、資金投入較大等困難，國(guó)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中一直進(jìn)展緩慢，隨著全球制造業(yè)向中國(guó)的轉(zhuǎn)移，我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上，是全球最大的IGBT市場(chǎng)，但I(xiàn)GBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，在中高端領(lǐng)域更是90%以上的IGBT器件依賴進(jìn)口，IGBT國(guó)產(chǎn)化需求已是刻不容緩。
華為低調(diào)入場(chǎng)
近日，筆者從一名業(yè)內(nèi)人士獲得消息，華為也開(kāi)始研發(fā)IGBT，目前正在從某國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IGBT廠商中挖人。
據(jù)了解，憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，華為早已成為UPS電源的領(lǐng)軍企業(yè)，占據(jù)全球數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域第一的市場(chǎng)份額，而IGBT作為能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，也是華為UPS電源的核心器件。
在華為被卷入中美貿(mào)易戰(zhàn)之前，華為海思主要研發(fā)數(shù)字芯片，并不涉及功率半導(dǎo)體，而華為所需的IGBT產(chǎn)品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購(gòu)。華為被列入實(shí)體清單后，有消息稱，英飛凌在美國(guó)政府的施壓下曾暫停供貨，盡管英飛凌很快澄清了該傳聞，并表示，其向華為提供的絕大多數(shù)產(chǎn)品都不受美國(guó)出口管制法限制，因此這些產(chǎn)品將繼續(xù)供貨。
雖不知英飛凌的IGBT產(chǎn)品是否受到出口管制的影響，但這件事顯然給了華為警醒。目前，在二極管、整流管、mos管等領(lǐng)域，華為正在積極與安世半導(dǎo)體、華微電子等國(guó)內(nèi)廠商合作，加大對(duì)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的采購(gòu)量，而在高端IGBT領(lǐng)域，華為卻不得不開(kāi)啟自研之路。
碳化硅和氮化鎵都是當(dāng)前功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)方向，無(wú)論是英飛凌、ST等全球功率半導(dǎo)體巨頭還是華潤(rùn)微、中車時(shí)代半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)功率廠商都重注在該領(lǐng)域，同樣，開(kāi)始向功率半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)軍的華為也不例外。
根據(jù)天眼查顯示，華為旗下的哈勃科技投資有限公司在今年8月份投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%。據(jù)悉，山東天岳是我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。
相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍，因此，碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件。
任正非曾經(jīng)說(shuō)過(guò)，華為是不做股權(quán)投資的，如果投資一定是戰(zhàn)略投資。顯然，華為正在對(duì)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行戰(zhàn)略投入，在其強(qiáng)有力的資金支持和技術(shù)優(yōu)勢(shì)下，華為在IGBT領(lǐng)域定能有所突破。
IGBT國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速
除新入局的華為外，在市場(chǎng)需求的吸引下，早有一批具備IGBT相關(guān)經(jīng)驗(yàn)的海外華人歸國(guó)投身IGBT行業(yè)，同時(shí)國(guó)家大量資金流入IGBT行業(yè)，我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)化水平有了一定提升，比亞迪微電子、中車時(shí)代半導(dǎo)體、斯達(dá)股份、士蘭微等部分企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，在市場(chǎng)上也有不錯(cuò)的表現(xiàn)。
此外，近年來(lái)，原從事二極管、三級(jí)管、晶閘管等技術(shù)含量較低的功率半導(dǎo)體廠商，華微電子、揚(yáng)杰科技、捷捷微電以及臺(tái)基股份等紛紛向MOSFET與IGBT領(lǐng)域突圍，部分下游應(yīng)用廠商也向上游IGBT領(lǐng)域布局。
據(jù)另一業(yè)內(nèi)人士表示，在國(guó)內(nèi)廠商的共同努力之下，目前，白色家電、逆變器、逆變電源、工業(yè)控制等國(guó)內(nèi)中低端市場(chǎng)已經(jīng)逐步完成了國(guó)產(chǎn)化替代，不過(guò)，在新能源汽車、新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)等要求非常高的領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)IGBT廠商有待突破。
在新能源汽車領(lǐng)域，目前，比亞迪微電子、斯達(dá)股份、上汽英飛凌等廠商的IGBT模塊產(chǎn)品已經(jīng)出貨，中車時(shí)代半導(dǎo)體的汽車用IGBT產(chǎn)品也正在送樣測(cè)試；在國(guó)家電網(wǎng)方面，除中車時(shí)代半導(dǎo)體的IGBT產(chǎn)品已進(jìn)入市場(chǎng)外，今年10月份，國(guó)電南瑞宣布與國(guó)家電網(wǎng)有限公司下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司共同投資設(shè)立南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，實(shí)施IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。
與此同時(shí)，比亞迪微電子、斯達(dá)股份等國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IGBT廠商紛紛開(kāi)啟上市征程，期望借助資本的力量再上新臺(tái)階。顯然，一場(chǎng)關(guān)于IGBT國(guó)產(chǎn)替代的“戰(zhàn)役”正在拉開(kāi)帷幕。
